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场效应管好坏测量

来源: 作者: 时间:2008-03-29 点击:

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1.判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间电阻若发现某脚与其字两脚电阻均呈无穷大并且交换表笔后仍为无穷大则证明此脚为G极因为它和另外两个管脚绝缘

2.判定源极S、漏极D

由图1可见在源-漏之间有一个PN结因此根据PN结正、反向电阻存在差异可识别S极与D极用交换表笔法测两次电阻其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)一次为正向电阻此时黑表笔S极红表笔接D极

3.测量漏-源通态电阻RDS(on)

将G-S极短路选择万用表R×1档黑表笔接S极红表笔接D极阻值应为几欧至十几欧 大学城uniuc.com

由于测试条件不同测出RDS(on)值比手册中给出典型值要高一些例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管RDS(on)=3.2W大于0.58W(典型值)
检查跨导

将万用表置于R×1k(或R×100)档红表笔接S极黑表笔接D极手持螺丝刀去碰触栅极表针应有明显偏转偏转愈大管子跨导愈高

注意事项:

(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管但绝大多数产品属于N沟道管对于P沟道管测量时应交换表笔位置
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(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管本检测方法中1、2项不再适用

(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块专供交流电机调速器、逆变器使用例如美国IR公司生产IRFT001型模块内部有N沟道、P沟道管各三只构成三相桥式结构

(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品美国Supertex公司生产超高频功率场效应管其最高工作频率fp=120MHzIDSM=1APDM=30W共源小信号低频跨导gm=2000μS适用于高速开关电路和广播、通信设备中

(5)使用VMOS管时必须加合适散热器后以VNF306为例该管子加装140×140×4(mm)散热器后最大功率才能达到30W
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(6)多管并联后由于极间电容和分布电容相应增加使放大器高频特性变坏通过反馈容易引起放大器高频寄生振荡为此并联复合管管子一般不超过4个而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻
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