关键字:场效应管好坏测量 如何识别精密贴片电阻的阻值 主板电源芯片好坏测试的快速方法 分析SEO服务质量好坏方法
1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间
电阻
若发现某脚与其字两脚
电阻均呈无穷大
并且交换表笔后仍为无穷大
则证明此脚为G极
因为它和另外两个管脚
绝缘

2.判定源极S、漏极D
由图1可见
在源-漏之间有一个PN结
因此根据PN结正、反向电阻存在差异
可识别S极与D极
用交换表笔法测两次电阻
其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)
一次为正向电阻
此时黑表笔
S极
红表笔接D极
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路
选择万用表
R×1档
黑表笔接S极
红表笔接D极
阻值应为几欧至十几欧
大学城uniuc.com
由于测试条件不同
测出
RDS(on)值比手册中给出
典型值要高一些
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管
RDS(on)=3.2W
大于0.58W(典型值)
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档
红表笔接S极
黑表笔接D极
手持螺丝刀去碰触栅极
表针应有明显偏转
偏转愈大
管子
跨导愈高
注意事项:
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管
但绝大多数产品属于N沟道管
对于P沟道管
测量时应交换表笔
位置
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管
本检测方法中
1、2项不再适用
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块
专供交流电机调速器、逆变器使用
例如美国IR公司生产
IRFT001型模块
内部有N沟道、P沟道管各三只
构成三相桥式结构
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品
美国Supertex公司生产
超高频功率场效应管
其最高工作频率fp=120MHz
IDSM=1A
PDM=30W
共源小信号低频跨导gm=2000μS
适用于高速开关电路和广播、通信设备中
(5)使用VMOS管时必须加合适
散热器后
以VNF306为例
该管子加装140×140×4(mm)
散热器后
最大功率才能达到30W
(6)多管并联后
由于极间电容和分布电容相应增加
使放大器
高频特性变坏
通过反馈容易引起放大器
高频寄生振荡
为此
并联复合管管子一般不超过4个
而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间
电阻
若发现某脚与其字两脚
电阻均呈无穷大
并且交换表笔后仍为无穷大
则证明此脚为G极
因为它和另外两个管脚
绝缘

2.判定源极S、漏极D
由图1可见
在源-漏之间有一个PN结
因此根据PN结正、反向电阻存在差异
可识别S极与D极
用交换表笔法测两次电阻
其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)
一次为正向电阻
此时黑表笔
S极
红表笔接D极
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将G-S极短路
选择万用表
R×1档
黑表笔接S极
红表笔接D极
阻值应为几欧至十几欧
大学城uniuc.com 由于测试条件不同
测出
RDS(on)值比手册中给出
典型值要高一些
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管
RDS(on)=3.2W
大于0.58W(典型值)
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档
红表笔接S极
黑表笔接D极
手持螺丝刀去碰触栅极
表针应有明显偏转
偏转愈大
管子
跨导愈高
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(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管
但绝大多数产品属于N沟道管
对于P沟道管
测量时应交换表笔
位置
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(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管
本检测方法中
1、2项不再适用
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块
专供交流电机调速器、逆变器使用
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IRFT001型模块
内部有N沟道、P沟道管各三只
构成三相桥式结构
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品

美国Supertex公司生产
超高频功率场效应管
其最高工作频率fp=120MHz
IDSM=1A
PDM=30W
共源小信号低频跨导gm=2000μS
适用于高速开关电路和广播、通信设备中
(5)使用VMOS管时必须加合适
散热器后
以VNF306为例
该管子加装140×140×4(mm)
散热器后
最大功率才能达到30W
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(6)多管并联后
由于极间电容和分布电容相应增加
使放大器
高频特性变坏
通过反馈容易引起放大器
高频寄生振荡
为此
并联复合管管子一般不超过4个
而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻

